275 برابر سریع‌تر با حافظه‌های جدید IBM

کمپانی IBM نوعی فناوری حافظه جدید را ارائه کرده است که به اعتقاد سازندگانش بالاخره می‌تواند جایگزین ناند فلش‌ها شود.
این پروژه که Theseus نام دارد (در همکاری با دانشگاه پاتراس در یونان) انجام گرفته است، نخستین تلاش برای ترکیب حافظه تغییر فاز (PCM)، ناند فلش‌های معمولی و Dram روی یک کنترلر واحد است. نتیجه کار، نوعی راهکار هیبریدی است که در حدود 12 تا 275 مرتبه از SSDهای مبتنی بر PCI سریع‌تر عمل می‌کند.

مموری‌های تغییر فاز نسبت به ناند تأخیر پاسخ‌دهی یا Latency کمتری دارند و از لحاظ نظری سرعت خواندن و نوشتن سریع‌تری دارند. همانگونه که می‌دانید چرخه رایت یا نوشتن ناندهای SLC معادل 30000 و انواع TLC برابر با 1000 است و این در حالی است که در انواع تغییر فاز این رقم برابر با چند میلیون می‌باشد. با این همه ناند فلش‌ها صنعت پر سودی در دنیا دارند و میلیاردها دلار در کارخانجات تولید این نوع حافظه در سراسر دنیا سرمایه‌گذاری می‌شود. کاری که کمپانی IBM در مورد فلش‌های Theseus انجام داده آن است که میزان کوچکی از مموری‌های تغییر فاز را در داخل یک ساختار ترکیبی گنجانده است و به همین دلیل میزان تأخیر پاسخ دهی آن به میزان قابل ملاحظه‌ای کم شده است.
به طور خلاصه، این مموری‌های تغییر فاز که بر مبنای نیمه‌رسانای 90 نانومتری ساخته شده است، نسبت به ناندهای تجاری سریع‌تر است و هم از لحاظ سرعت رایت و هم ماندگاری داده عملکرد به مراتب بهتری دارد.
کمپانی IBM اعلام کرده است که در ساخت حافظه‌های جدید خود از مموری‌های 90 نانومتری تولیدی میکرون استفاده کرده است. تنها مشکلی که وجود دارد آن است که میکرون چندی پیش اعلام کرد پروسه تولید انبوه PCMهای خود را لغو کرده و به طور کلی حافظه‌های تغییر فاز را از صنعت خارج خواهد کرد. البته میکرون راه را برای بازنگری در این تصمیم خود باز نگه داشته است با این همه اعلام کرده که تولید ناند فلش‌های سه‌بعدی نتیجه بهتری را برای آن خواهد داشت.